แนวทางการวิจัย
ในปัจจุบันการศึกษาการใช้เทคนิค cold-wall catalytic thermal CVD (Cat-CVD) ในการเตรียมกราฟีนยังมีไม่มากนัก ซึ่งเทคนิคนี้มีความน่าสนใจหลายอย่าง เช่น สามารถเตรียมกราฟีนชั้นเดียว (monolayer graphene) ที่มีคุณภาพสูงได้ และอาจจะนำไปสร้างกราฟีนหลายชั้นที่มีโครงสร้างแถบพลังงานหรือช่องว่างระหว่างแถบพลังงานเฉพาะตัวโดยการควบคุมพารามิเตอร์ของการปลูกฟิล์มในขณะที่มีการเจือด้วยโมเลกุลของไนโตรเจน โดยจะใช้เทคนิคโฟโตอิมิชชันแยกแยะเชิงมุม (Angle Resolved Photoemission Spectroscopy, ARPES) เพื่อศึกษาการเปลี่ยนแปลงของโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ (electronic structure) ของกราฟีน

ผลได้จากงานวิจัย
          •    ประสบความสำเร็จในการเตรียมกราฟีนด้วยเทคนิค hot-filament thermal chemical vapor deposition (HFTCVD) ซึ่งปรับปรุงมาจากเทคนิค cold-wall catalytic thermal CVD (Cat-CVD)
          •    ผลการวัดด้วยรามานสเปกโทรสโกปีของกราฟีนที่ปลูกบนแผ่นฟอยล์ของทองแดงแสดงอัตราส่วน ID/IG ที่มีค่าต่ำมาก (<0.1) br="">          •    การศึกษานี้พบว่าอุณหภูมิของซับสเตรต (1000C) และไส้หลอดทังสเตน (~1750C) ตลอดจนสภาพแวดล้อมของการปลูกฟิล์มภายในท่ออลูมินาน่าจะเป็นปัจจัยหลักที่ทำให้สามารถเตรียมกราฟีนคุณภาพสูงได้
          •    หลังจากกระบวนการเคลื่อนย้าย (transfer process) กราฟีน พบว่ากราฟีนยังคงมีความบกพร่องน้อยและมีการเปลี่ยนแปลงทางเคมีเพียงเล็กน้อย จากการตรวจสอบด้วยเทคนิครามานสเปกโทรสโกปีและเอกซ์เรย์โฟโตอิมิชชันสโทรสโกปี (XPS)

                         แสดงผลกสนวัดด้วยรามารสเปกโทรสโกปีของกราฟิน                                          ตรวจสอบกราฟินด้วยเทคนิคเอ็กซ์เรย์โฟโตอิมิชชันสโทรสโกปี(XAS)
                                      ที่ปลูปบนแผ่นฟอยล์ของทองแดง