การเคลือบฟิล์ม (Film deposition)

 

          วิธีการเคลือบฟิล์มหลักๆ แบ่งได้ 2 วิธี ได้แก่ การเคลือบโดยไอเชิงเคมี (Chemical vapor deposition process: CVD) และการเคลือบโดยไอเชิงกายภาพ (Physical vapor deposition process: PVD) แสดงดังรูปที่ 1 และในส่วนของห้องปฏิบัติการ Microsystems และระบบลำเลียงแสง 6: Deep X-ray Lithography (DXL) ณ สถาบันวิจัยแสงซินโครตรอน (องค์การมหาชน) ปัจจุบันจะรองรับการทำงานเฉพาะในส่วนของการเคลือบฟิล์มเชิงกายภาพ ดังนี้ 

• การเคลือบฟิล์มบางแบบไอระเหยด้วยความร้อน (Thermal Evaporator)
• การเคลือบฟิล์มบางแบบระเหยด้วยลำอิเล็กตรอน (Electron Beam Evaporator)
• การเคลือบฟิล์มบางด้วยกระบวนการสปัตเตอริง (Sputtering)
• การชุบโลหะด้วยไฟฟ้า (Electroplating)
• การเคลือบผิวตัวอย่างด้วยการหมุนเหวี่ยง (Spin coating)

  

 รูปที่ 1 วิธีการเคลือบฟิล์ม

 

[1]     อรุณี หลักคำ วิทวัช วงศ์พิศาล และ ดร.สินธุ จันทพันธ์. วิศวกรรมพื้นผิว. หน่วยวิจัยด้านประสิทธิผลการใช้งานวัสดุ. ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ. (2557).

[2]     C.R. Stoldt, C. Carraro, W.R. Ashurst, D. Gao, R.T. Howe, R. Maboudian, A low-temperature CVD process for silicon carbide MEMS, Sensors and Actuators A: Physical 97-98 (2002) 410-415.

[3]     A. Santos, R.M. Santos, R. Turri, R. Rangel, E. Rangel, N. Cruz, N.C. Cruz, N. Schreiner, W. Schreiner, W. Davanzo, C.U. Davanzo, C. Durrant, S. Durrant, Diverse Amorphous Carbonaceous Thin Films Obtained by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition, Physics Procedia 32 (2012) 48-57.

[4]     A. Bagolini, A. Gaiardo, M. Crivellari, E. Demenev, R. Bartali, A. Picciotto, M. Valt, F. Ficorella, V. Guidi, P. Bellutti, Development of MEMS MOS gas sensors with CMOS compatible PECVD inter-metal passivation, Sensors and Actuators B: Chemical 292 (2019) 225-232.