การทดสอบการสร้างลวดลายด้วยเทคนิค Electron Beam Lithography (EBL) ลงบนแผ่นซิลิกอนที่เคลือบด้วยสารไวแสงชนิด PMMA โดยมีความหนาอยู่ที่ 42 นาโนเมตร ผลการทดสอบแสดงให้เห็นว่าการใช้อุปกรณ์และสารเคมีที่เป็นทรัพยากรที่มีอยู่ของ BL6 สามารถสร้างลวดลายขนาด 100 nm ได้ หรือมากกว่าได้ด้วยเทคนิค EBL
 

Picture1


     Electron Beam Lithography (EBL) เป็นหนึ่งในเทคนิคของวิธีการนาโนลิโทกราฟี (nanolithography) ที่มีความสำคัญเป็นอย่างยิ่งเพราะเป็นกระบวนการสร้าง ออกแบบ และผลิตชิ้นงานที่มีโครงสร้างในระดับนาโนเมตร โดยเทคนิคดังกล่าวจำเป็นต้องใช้ร่วมกับเครื่อง scanning electron microscope (SEM) เพื่อใช้ในการควบคุมกระบวนการและตรวจสอบชิ้นงาน โดยส่วนใหญ่ชิ้นงานลวดลายหรือโครงสร้างในระดับนาโนเมตรจะนำไปใช้ในอุตสาหกรรมแผงวงจรรวมหรือไอซี (IC) ของชิพคอมพิวเตอร์ และยังถูกใช้เป็นส่วนประกอบของกลไกขนาดเล็กรวมไปถึงการผลิตเซนเซอร์ในอุปกรณ์ตรวจรับชนิดต่างๆ

 Picture2

POWERPOINT TEMPLATE 06

Go to top