ตำแหน่งของ glitch ที่เกิดจาก

เนื่องจากความไม่สมบูรณ์แบบของผลึกใน DCM ทำให้ที่บางค่าพลังงานมีความเข้มแสงไม่ต่อเนื่อง (อาจจะเพิ่มขึ้นหรือลดลง) เทียบกับความเข้มแสงที่ช่วงพลังงานใกล้เคียง เรียกตำแหน่งพลังงานนั้นว่ามี glitch โดยตำแหน่งพลังงานที่มี glitch ของผลึกแต่ละตัวนั้นจะไม่เหมือนกันขึ้นกับปัจจัยหลายอย่างในกระบวนการผลิตผลึก แต่เนื่องจากสเปคตรัม XAS นั้นคำนวณจากอัตราส่วนระหว่างหัววัดสองตัว คือ I0/I1 ในกรณีการวัดแบบ transmission และ If/I0 ในกรณีที่วัดแบบ fluorescence ทำให้โดยทั่วไปถ้าเป็น glitch ขนาดเล็ก ค่าความไม่ต่อเนื่องจะหักล้างกันได้ และไม่ปรากฏในสเปคตรัมที่วัดได้ อย่างไรก็ตามถ้าเป็น glitch ที่กว้าง และมีค่าความเข้มแตกต่างจากความเข้มที่พลังงานใกล้เคียงมาก หรือสารตัวอย่างมีความเข้มข้นต่ำ ก็จะทำให้มี glitch ในสเปคตรัมได้ ซึ่ง feature ที่เกิดจาก glitch นั้นไม่ได้มาจากสารตัวอย่างจึงต้องใช้ความระมัดระวังในการวิเคราะห์มากขึ้นเพื่อป้องกันการแปลผลที่ผิดพลาด จึงได้มีการบันทึกตำแหน่งของ glitch สำหรับผลึก Si(111) ที่ใช้ที่ BL1.1W เพื่อใช้เป็นตำแหน่งอ้างอิง ค่า I0 ที่วัดที่แต่ละค่าพลังงานแสดงในรูปที่ 1

ตำแหน่ง glitch สำหรับผลึกที่ใช้ในปัจจุบัน

ช่วงพลังงาน 3.5 ถึง 7 keV

ช่วงพลังงาน 7 ถึง 9 keV

ช่วงพลังงาน 9 ถึง 12 keV

ช่วงพลังงาน 11 ถึง 15 keV

รูปที่ 1 แสดงค่าความเข้มของ x-ray ที่ค่าพลังงานต่าง ๆ ตั้งแต่ 3.5 ถึง 15 keV วัดโดยใช้ ionization chamber ที่ตำแหน่งก่อนถึงสารตัวอย่าง

ลักษณะของ glitch

glitch ที่มีผลต่อ spectrum จะเป็น glitch ที่ครอบคลุมช่วงพลังงานกว้าง และมีความเข้มแสงน้อยหรือมากกว่าความเข้มแสงที่พลังงานใกล้เคียงกันมาก ในรูปที่ 2 จะเห็นว่า glitch ที่ตำแหน่งพลังงานประมาณ 4640 eV มีความกว้างประมาณ 6 eV และมีความต่างของความเข้มประมาณ 5 % เทียบกับความเข้มแสงที่บริเวณพลังงานใกล้เคียง glitch ในลักษณะนี้มักจะหักล้างกันโดยหัววัดสองตัวและไม่มีผลต่อสเปคตรัมที่วัดได้ ส่วน glitch ที่บริเวณ 5900 eV จะเห็นว่าแม้จะมีความต่างของความเข้มไม่มากนัก คือประมาณ 5 % เทียบกับความเข้มแสงที่บริเวณพลังงานใกล้เคียงเช่นเดียวกับ glitch ที่ 4640 eV แต่มีความกว้างมาก (มี glitch ติด ๆ กันหลายที่) ทำให้มีผลต่อรูปร่างของ spectrum ได้บ้างโดยเฉพาะถ้าสารตัวอย่างมีความเข้มข้นของธาตุที่สนใจน้อย ส่วนในรูปที่ 3 แสดงตำแหน่งของ glitch ที่ 7250 และ 8600 eV โดย glitch ทั้งสองตำแหน่งมีความต่างของความเข้มแสงค่อนข้างมาก คือประมาณ 15 % แต่ glitch ที่ 8600 eV ค่อนข้างแคบ คือครอบคลุมช่วงพลังงานประมาณ 10 eV โดยถ้าสังเกตเห็น glitch ลักษณะนี้ในสเปคตรัมที่วัดได้อาจจะสามารถกำจัดออกโดยการลบข้อมูลช่วงนั้นออกไปได้โดยไม่ส่งผลต่อรูปร่างโดยรวมของสเปคตรัม

ผลของ glitch ต่อสเปคตรัมที่วัดที่ BL1.1W

จากรูปที่ 1 ตำแหน่งของ glitch ขนาดใหญ่ที่อาจจะสร้างปัญหาอยู่ที่พลังงานประมาณ 5900 eV และ 7250 eV ซึ่งจะมีผลต่อสเปคตรัม XANES ของ Cr K-edge (Edge energy = 5989 eV), EXAFS ของ Fe K-edge (Edge energy = 7112 eV) รูปที่ 4 แสดงสเปคตรัม XANES ของ CrO3 และ Cr2O3 ที่วัดที่ BL1.1W เปรียบเทียบกับสเปคตรัมที่วัดจากทีอื่น โดยจากรูปจะเห็นว่าแม้ว่าจะมี glitch ขนาดใหญ่บริเวณ pre-edge และช่วงกลางของสเปคตรัม XANES แต่ถ้าสารตัวอย่างมีความเข้มข้นเพียงพอ จะไม่เห็นผลของ glitch ในสเปคตรัม ในรูปที่ 5 แสดงสเปคตรัม XANES และ EXAFS ของ Fe2O3 และสารตัวอย่างที่มี Fe เป็นองค์ประกอบประมาณ 1% wt จากรูปจะเห็นว่า glitch ไม่มีผลต่อ XANES แต่มีผลต่อช่วงต้นของสเปคตรัม EXAFS ในกรณีที่สารตัวอย่างมีความเข้มข้นของธาตุที่สนใจต่ำ