กระบวนการสร้างลวดลายด้วยเทคนิค UV Lithography

 

1

รูปที่ 1 เครื่อง EVG610 UV Mask Aligner

 

      UV Lithography เป็นการสร้างลวดลายของสารไวแสงด้วยแสงอัลตร้าไวโลเลต กระบวนการสร้างลวดลายด้วยเทคนิค UV Lithography มีขั้นตอน ดังนี้


          1. ทำความสะอาดฐาน (Substrate) กระบวนการทำความสะอาดขึ้นอยู่กับชนิดของฐาน โดยปกติจะทำความสะอาดโดยผ่านกระบวนการทางเคมี และเป่าให้แห้งด้วยไนโตรเจน (N2)

          2. เคลือบผิวหน้าวัสดุฐานด้วยสารไวแสงในห้องสะอาด (Clean room) ที่มีแสงสีเหลือง ด้วยเครื่องหมุนเคลือบแบบหมุนเหวี่ยง (Spin coater) ที่ความเร็วรอบ (Spin speed, rpm) และเวลา (Time, sec) ตามสภาวะ (Condition) ต่างๆเพื่อให้ได้ความหนาที่ต้องการใช้งาน

      3. หลังจากเคลือบผิวหน้าวัสดุฐานแล้วทำการอบ (Bake) สารไวแสงที่ผิวหน้าให้แห้งด้วย Hot plate ระยะเวลาในการอบขึ้นอยู่กับความหนาและชนิดของสารไวแสง ให้อ้างอิงจากคู่มือ (Datasheet)

          4. เตรียมหน้ากาก (Mask) ไม่ว่าจะเป็นในรูปแบบของฟิล์ม, Chromium mask, Gold mask ตามที่ได้เตรียมไว้ ดังตัวอย่างด้านล่าง


                       23

รูปที่ 2 แสดงหน้ากากกั้นแสง

 

          5. ฉายแสงยูวีผ่านหน้ากากกั้นแสง โดยตัวแปรของการฉายแสง คือ ความหนาของสารไวแสง เนื่องจากต้องกำหนดค่าพลังงานในการฉาย ในกรณีที่สารไวแสงมีความหนามากจะใช้พลังงานในการฉายมากกว่าสารไวแสงที่บาง โดยพลังงานในการฉายจะมีหน่วยเป็น mJ/cm2      

          6. หลังจากการฉายแสง (Exposure dose) สามารถล้างสารไวแสงในสารเคมีได้เลย ยกเว้น สารไวแสงบางชนิด เช่น Su-8 (Negative resist) ต้องมีการอบหลังจากการฉาย (Post-bake) ระยะเวลาอ้างอิงจากคู่มือ (Datasheet)

          7. ล้างสารไวแสงด้วยสารเคมี ที่เรียกว่า Developer เพื่อให้เกิดลวดลายตามหน้ากากกั้นแสง ล้างอีกรอบด้วยน้ำบริสุทธิ์ กรณีที่ใช้สารไวแสง AZ และล้างด้วย IPA กรณีที่ใช้สารไวแสง SU-8

          8. เป่าแห้งด้วยแก๊สไนโตนเจน (N2) และนำไปอบแห้ง (Hard bake)

 

                                  45

รูปที่ 3 ชิ้นงานหลังจากการฉายแสงสร้างลวดลายด้วยเทคนิค UV-Lithography



POWERPOINT TEMPLATE 06

Go to top