Electron beam Evaporation เป็นอีกหนึ่งในเทคนิคการเคลือบฟิล์มบาง หลักการทำงานจะมี electron source สร้างลำอิเล็กตรอน ลำอิเล็กตรอนที่สร้างขึ้นจะถูกเร่งให้มีพลังงานจลน์สูงและพุ่งไปยังวัสดุ เมื่อกระทบกับวัสดุ อิเล็กตรอนจะสูญเสียพลังงานอย่างรวดเร็ว พลังงานจลน์ของอิเล็กตรอนจะถูกแปลงเป็นพลังงานความร้อน พลังงานความร้อนทำให้วัสดุละลาย ระเหยกลายเป็นไอ ไอที่เกิดขึ้นนั้นสามารถใช้เคลือบพื้นผิวได้
การสะสมไอทางกายภาพของขบวนการ Electron beam Evaporation จะให้อัตราการสะสมที่สูงจาก 0.1 ถึง 100 μm/min ที่อุณหภูมิพื้นผิวค่อนข้างต่ำพร้อมประสิทธิภาพการใช้วัสดุที่สูงมาก

  

 

Chamber ที่ออกแบบโดยสถาบันฯ

 

          ระบบลำเลียงแสงที่ 6:DXL ร่วมกับส่วนงานระบบเชิงกลและส่วนการผลิต หน่วยงานภายใต้สังกัดสถาบันวิจัยแสงฃินโครตรอน (องค์การมหาชน) ได้ร่วมออกแบบและพัฒนา อุปกรณ์ E-beam evaporation โดยได้ทำการออกแบบและจัดทำ Chamber ประกอบและทดสอบการทำงาน ซึ่งปัจจุบันมี Material ที่ใช้นำมาทดสอบ และพร้อมให้บริการ ได้แก่ Aluminium (Al), Nickel (Ni), Titanium (Ti), Gold (Au)

คุณสมบัติ E-beam evaporation

• • • Output voltage range 6.5 to 7.5 kilovolts DC (negative)
    • Output current (maximum) 750 ma. @7kV
    • Compact Linear UHV Sources 4 pocket
    • Chamber is in operating range on the order of 1x10^-5 torr or better
    • Crucible Volume 1.5cc Material evaporate Aluminium (Al), Nickel (Ni), Titanium (Ti), Gold (Au) other

 

 ตัวอย่างชิ้นงานที่ใช้เทคนิคการเคลือบฟิล์มบาง E-beam evaporation

 

          นักวิจัย และผู้สนใจขอใช้บริการ จะต้องส่งข้อเสนอโครงการทางเว็บไซต์ www.slri.or.th ระบุส่วนงานที่ขอรับบริการ คือ ระบบลำเลียงแสงที่ 6 หรือ ขอข้อมูลรายละเอียดเพิ่มเติม ที่ทีมวิจัยของ BL6: Deep X-ray Lithography (DXL) อีเมล์: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it. หรือ This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.